본교 IT융합대학 전자공학과 유호천 교수팀이 성균관대학교 신소재공학부 홍성인 박사, 김선국 교수 연구팀과 공동으로 RGB (레드, 그린, 블루)을 포함한 가시광선 빛을 모두 검출 가능한 메모리 소자 개발에 성공했다.

두 팀은 이번 연구 성과를 담은 논문 “Multifunctional molybdenum disulfide flash memory using a PEDOT: PSS floating gate”을 NPG Asia Materials (IF: 8.131)에 최근 발표했다.

dl 연구는 빛에 반응하여 광전효과를 갖는 전도성 고분자 PEDOT: PSS를 플로팅 게이트로, 이차원 반도체 MoS2를 트랜지스터 반도체 층으로 적용한 신개념 메모리 구조를 제시했다. 개발된 메모리는 노출된 빛의 파장 및 세기 정보를 플로팅 게이트*에 저장하는 기능을 탑재하여, 하나의 소자 내에서 광검출과 메모리 동작이 모두 가능하다. 또한, 구부리거나 휘어질 수 있는 플렉서블 기판 위에 제시한 메모리를 구현하였으며, 1,000 번의 구부림 테스트에도 안정적인 메모리 동작 안정성 검증에 성공했다.

유 교수는 “빛에 반응하는 메모리 소자는 향후 디지털 카메라의 핵심 소자인 포토다이오드와 메모리의 집적도 및 픽셀 사이즈를 획기적으로 향상시킬 수 있는 유망한 기술이 될 것이라 기대한다”고 밝혔다.

* 플로팅 게이트: 플로팅 게이트는 절연막으로 둘러 쌓여 있으며, 인가 전압에 의한 터널링 효과에 의해 전자를 채우거나 비우는 방식으로 데이터를 기록하거나 지우게 된다.

해당 논문 링크: https://www.nature.com/articles/s41427-021-00307-x